Rad nije dostupan
disertacija
Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices

Sabina Krivec (2018)
Sveučilište u Zagrebu
Fakultet elektrotehnike i računarstva
Zavod za elektroniku, mikroelektroniku, računalne i inteligentne sustave
Citirajte ovaj rad

Krivec, S. (2018). Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices (Disertacija). Preuzeto s https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466

Krivec, Sabina. "Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466

Krivec, Sabina. "Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices." Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, 2018. https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466

Krivec, S. (2018). 'Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices', Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, citirano: 22.10.2019., https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466

Krivec S. Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices [Disertacija]. Zagreb: Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva; 2018 [pristupljeno 22.10.2019.] Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466

S. Krivec, "Electron transport in ultra-thin strained InGaAs MOS devices", Disertacija, Sveučilište u Zagrebu, Fakultet elektrotehnike i računarstva, Zagreb, 2018. Dostupno na: https://urn.nsk.hr/urn:nbn:hr:168:651466