U radu je prikazana integracija HCBT strukture u 0,18 μm CMOS proces korištenjem integracijeske sheme baza nakon upravljačke elektrode. Proces je modificiran u odnosu na prethodnu HCBT tehnologiju. Za podlogu tranzistora koristi se silicijska pločica kristalne orijentacije <100> koja predstavlje standardnu podlogu za CMOS tehnologiju. CMOS izolacija plitkim žlijebom koristi se za definiciju aktivnih dijelova elemenata kao i za njihovu izolaciju. Tranzistor se procesira na bokovima silicijskih otoka definiranih izolacijom plitkim žlijebom. Bokovi se izlažu maskiranim jetkanjem oksida i na njima se procesira intrinzični tranzistor čime se dobiva samopodešavanje između emitera i baze. Pošto se koriste silicijske pločice kristalne orijentacije <100>, kristalografski osjetljivo jetkanje ne može se koristiti za jetkanje emiterskog polisilicija. Svojstvo selektivnosti TMAH-a prema prirodnom oksidu koristi se za zaštitu aktivnog tranzistora prilikom jetkanja emiterskog polisilicija. Visina tranzistora je skalirana približno šest puta u odnosu na prethodnu HCBT tehnologiju. Procesirani su tranzistori s visinom 350 nm i vrhunskim karakteristikama. Po prvi puta su predstavljene dvije nove HCBT strukture. HCBT s jednim polisilicijskim područjem ima fT i fmax iznosa čak 51,8 i 63,6 GHz i produkt fTBVCEO iznosa 155,4 GHzV. Struktura s dvostrukim emiterom koristi trodimenzionalni efekt dijeljenja naboja za postizanje visokog probojnog napona. HCBT s dvostrukim emiterom ima probojni napon u spoju zajedničkog emitera iznosa 15 V i Early-ev napon iznosa 141 V. Sve predložene strukture mogu biti proizvedene istim tehnološkim procesom što HCBT BiCMOS tehnologiju čini fleksibilnom platformom za RF primjene.